个人基本信息

冯秋菊 教授
导师级别:硕导
学科:凝聚态物理
职务:
社会兼职:

联系方式

通信地址:
电子邮件:fengqiuju@163.com
办公电话:
办公地点:

个人简介

冯秋菊,博士,教授,硕士生导师,大连理工大学博士后,大连市高层次人才(青年才俊)。主要从事宽禁带半导体材料与光电器件的相关研究工作。作为负责人主持国家自然科学基金、中国博士后科学基金、辽宁省自然科学基金、大连市科技创新基金、教育部产学合作协同育人项目及企业委托课题等项目10余项。发表SCI论文50余篇,以第一发明人获授权发明专利12项。荣获辽宁省自然科学学术论文三等奖2项,大连市自然科学优秀学术论文二等奖和三等奖各1项。获“辽宁师范大学优秀研究生指导教师”、“辽宁师范大学教学先进个人”等称号。
 

个人学习经历

2001/09-2006/03年,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,硕博连读

个人工作经历

 2006-至今,辽宁师范大学物理与电子技术学院,教师

研究工作概况

近期发表论文:
1. Yan-Ming Wang, Xue Sui, Shuo Wang, Jia-Hui Shi, Yi-Han Yang, Qiu-Ju Feng, Chong Gao, Jing-Chang Sun, High-performance solar-blind UV photodetector based on single p-type Cu-doped β-Ga2O3 microwire, Materials Science in Semiconductor Processing, 2025, 190: 109370.
2. Qiu-Ju Feng, Jia-Hui Shi, Yi-Han Yang, Chao-Tong Zhang, Jian-Dong Liu, Xing-Yu Yao, Jin-Zhu Xie, Jing-Chang Sun, Hong-Wei Laing, Growth and UV detection properties of Sb-doped β-Ga2O3 microbelts based on seed layer, Optical Materials, 2025, 162: 116861.
3. 宜子琪,王彦明,王硕,隋雪,石佳辉,杨壹涵,王德煜,冯秋菊,孙景昌,梁红伟,基于机械剥离制备的PEDOT:PSS/β-Ga2O3微米片异质结紫外光电探测器研究,物理学报,2024, 73: 157102.
4. Qiu-Ju Feng, Chen Yu, Zi-Qi Yi, Xue Sui, Yan-Ming Wang, Shuo Wang, De-Yu Wang, Jia-Hui Shi, Jing-Chang Sun, Hong-Wei Laing, Study of self-powered UV detector based on Sb-doped β-Ga2O3 thin film/ P–Si heterojunction, Optical Materials, 2023, 145: 114431.
5. 刘玮,冯秋菊,宜子琪,俞琛,王硕,王彦明,隋雪,梁红伟,Cu掺杂β-Ga2O3薄膜的制备及紫外探测性能,物理学报,2023, 72:198503.
6. Qiuju Feng, Zengjie Dong, Wei Liu, Shuo Liang, Ziqi Yi, Chen Yu, Jinzhu Xie, Zhe Song, High responsivity solar-blind UV photodetector based on single centimeter-sized Sn-doped β-Ga2O3 microwire, Micro and Nanostructures, 2022, 167: 207255.
部分授权发明专利:
1. 冯秋菊,董增杰,梁硕,刘玮,俞琛,宜子琪,一种低成本超细β-Ga2O3纳米线的制备方法,专利号:ZL202210013593.X,授权公告日:2024.02.02
2. 冯秋菊,高冲,解金珠,董增杰,孙景昌,梁硕,刘玮,磷掺杂β-Ga2O3微米线的制备方法,专利号:ZL202110021088.5,授权公告日:2022.11.08
3. 冯秋菊,石博,李昀铮,王德煜,高冲,李梦轲,采用化学气相沉积法生长β-Ga2O3微米线的方法,专利号:ZL201811542186.8,授权公告日:2021.01.05 
4. 冯秋菊杨毓琪,李芳,李彤彤,β-Ga2O3微米带的制备方法,专利号:ZL201710266898.0,授权公告日:2019.08.27
5. 冯秋菊,刘佳媛,杨毓琪,梅艺赢,潘德柱,李梦轲,采用化学气相沉积法制备Zn掺杂p型β-Ga2O3纳米线的方法,专利号:ZL201510453146.6,授权公告日:2017.02.22
6. 冯秋菊刘佳媛,徐坤,杨毓琪,潘德柱,李梦轲,自催化生长大尺寸β-Ga2O3微米线的方法,专利号:ZL201510735744.2,授权公告日:2017.04.19
7. 冯秋菊李芳李彤彤,李昀铮,石博,李梦轲,采用化学气相沉积法制备β-Ga2O3纳米球的方法,专利号:ZL201810038960.5,授权公告日:2019.12.24